serg_vhdl

вы не внимательно посмотрели параметры частотомеров CNT - измерения производятся в диапазоне от -5нс (МИНУС) до 106с, и при интеллектуально расчете от 10-6с до 106с, значение "минус" означает, что местоположене фронтов при измерении может изменяться по отношения к друг другу (кто первый а кто последний), разрешение чатотомера будет 50 пс или 100 пс в зависимости от модели (я думал вы на это обратите прежде всего внимание ) Простите, а разве это будет работать? Например у контактных площадок и выводов микросхем суммарная емкость очень большая. К примеру сигнал с амплитудой 100 МГц выходящий из чипа еще можно увидеть. А вот сигнал с частотой 300 МГц уже едва виден. Так каким же образом Вы собираетесь подать сигнал через такие большие емкости контактов в чип и выдать его наружу в осциллограф? А какова емкость щупов? А погрешности какие если мы положили щуп сначала змейкой, а потом случайно кольцом его свернули? Это же все будет вносить большие погрешности если не ошибаюсь.

Добрый день. У меня есть несколько вопросов по теме измерения в наноструктурах. Не подскажите, как можно измерить время задержки в элементах цифровой микроэлектроники (И, НЕ, ИЛИ...)? (время задержки в одном элементе логики может быть очень маленьким к примеру 100 пс.) По старинке вроде бы ставилась длинная линия задержки в микросхеме и подавался сигнал с генератора. А на осциллографе сравнивались два сигнала по разным каналам (1 и 2). Разность фронтов делилась на кол-во элементов и получалось время задержки в одном элементе. Есть ли еще способы(методы) определить время задержки? И еще один - как правильно классифицировать этот метод (способ?) измерения. Заранее спасибо.